模拟IC面试中，被问到‘带隙基准电压源（Bandgap）’的曲率补偿和低温漂设计，通常会考察哪些具体的电路技术和分析思路？
准备模拟IC设计的面试，Bandgap是核心考点。我知道基本原理是利用PTAT和CTAT电流相加得到零温漂电压。但面试官往往会深入问曲率补偿和宽温范围下的低漂移设计。具体问题可能包括：1. 除了传统的二阶补偿技术（如利用不同温度系数的电阻、双极型晶体管的不同偏置），还有哪些高阶补偿或数字修调的方法？2. 在CMOS工艺下，如何用MOS管实现亚1V输出的低电压Bandgap？其中的运放失调电压会带来什么影响，如何优化？3. 如何通过仿真（DC、温度扫描）来精确评估和优化Bandgap的温漂系数（TC）和线性调整率？希望有经验的前辈能分享一下回答这类问题的思路和关键点。
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