FPGA新手村村民简单说几个关键点吧，都是实际设计容易踩坑的地方。
曲率补偿除了传统方法，还可以利用MOS管的温度特性。比如让MOS工作在亚阈值区，它的电流公式也有温度项，通过适当比例和BJT的VBE叠加，能抵消高阶项。但这个方法对工艺波动敏感，需要仿真验证。
亚1V Bandgap设计里，运放失调的影响很大，尤其是输入失调会直接乘以一个系数（和电阻比有关）反映到输出。优化时除了增大面积，可以考虑用失调存储技术，或者设计成无需运放的结构（比如基于电流模的Bandgap），但性能会折衷。
仿真方面，一定要跑全温度范围（比如-40到125°C）的DC扫描，并且把工艺角（FF、SS、TT）和蒙特卡洛都加上。看温漂曲线别只看是否平坦，要计算最大偏差除以温度范围。线性调整率仿真要注意仿真器的收敛问题，电源电压扫描步长设小一点，同时观察运放工作点是否正常。
最后提醒，面试官可能追问‘曲率补偿后温漂能做到多少？’——成熟工艺下，模拟补偿大概20-50ppm/°C，数字修调可以做到10ppm以下，但成本高。根据应用场景选择合适方案。
我面试时被问过这个，我的经验是：抓住‘系统级’和‘电路级’两个层面回答，显得你有全局观。
电路级：CMOS下做亚1V Bandgap，常用的是把输出电压通过电阻分压反馈，或者用电荷泵升压后给传统结构供电。但运放失调在这里是致命伤，它会直接导致输出电压偏差和温漂恶化。优化方法除了增大输入对管面积、用auto-zero或chopper技术，还可以考虑动态元件匹配（DEM）——面试时如果能画出简化的chopper运放结构并解释调制解调过程，会很加分。
系统级：仿真评估TC不是简单跑个温度扫描看曲线。要强调你会做蒙特卡洛仿真看工艺角下的温漂分布，并且会提取不同温度点的输出电压做线性拟合，计算TC = (V_max - V_min) / (V_nom ΔT) 10^6（单位ppm/°C）。线性调整率仿真则要扫描电源电压，看输出电压变化率，同时注意仿真时要带上负载变化。
最后提一句，现在工业界为了追求极致低温漂，常用数字后台校准，比如上电后测量几个温度点并修调电阻阵列，这虽然增加复杂度但能降到几个ppm/°C。
面试官问曲率补偿和低温漂，其实是想看你有没有实际设计经验，而不是只懂教科书。除了传统二阶补偿（比如用不同温度系数的电阻组合，或者让BJT工作在不同电流密度下产生不同曲率来抵消），现在先进工艺里常用的是分段线性补偿或者数字辅助的曲率补偿。
比如，你可以提到用温度传感器加DAC做数字修调，在不同温度区间注入不同的补偿电流，这样能实现更宽温范围内的低漂移。还有，用MOS管工作在亚阈值区产生指数电流，配合BJT也能做高阶补偿，但要注意工艺偏差。
回答时别光说技术名字，要带出分析思路：先解释传统Bandgap的剩余曲率来源（主要是BJT的VBE非线性），然后说补偿的核心是生成一个与曲率误差相反的电压/电流，最后举例一两个电路结构（比如用电阻分压产生不同TC的电压叠加）。
这个问题挺实在的，我当年面试也被问过。简单说，曲率补偿就是对付VBE那个非线性温度特性。传统办法确实有限，现在常用的是引入一个与温度平方成正比的电流，叠加到PTAT电流里。具体电路上，可以用两个BJT工作在不一样的比例因子下，产生ΔVBE，再通过电阻和MOS管生成高阶补偿项。
CMOS工艺做低压Bandgap，主流结构是电流模的。用运放强制两个支路电压相等，产生PTAT和CTAT电流，在输出电阻上叠加得到基准电压。为了输出低于1.25V，可以让叠加电流流过一个阻值较小的电阻。但这里运放失调会破坏两边对称性，使ΔVBE不准，温漂变差。优化方法除了增大器件尺寸，还可以用自动归零或者数字后台校准，在启动时测量失调并存储补偿电压。
仿真方面，温漂系数不能只看TT corner。要跑全温度范围，用公式TC=(V_max-V_min)/(V_nom温度跨度) 10^6，单位是ppm/°C。线性调整率就是电源电压变化时输出电压的变化率。仿真时注意给Bandgap加启动电路，并验证启动正常。另外，负载调整率也要看，挂不同负载电流下的输出变化。
建议你准备一两个经典论文里的电路图，比如Brokaw cell，解释怎么在里面加补偿。面试官画图问你时，能讲清楚电流怎么流，节点电压关系，基本就稳了。
面试问曲率补偿和低温漂，核心是看你有没有实际设计经验和深度思考。我面过不少公司，总结下来他们最想听的不是教科书定义，而是你如何解决实际问题。
先说曲率补偿。传统方法是用不同温度系数的电阻组合，或者让双极型晶体管工作在不同电流密度下，产生高阶温度项来抵消曲率。但面试官想听更前沿的。你可以提一下利用MOS管亚阈值区的特性，它的电流电压关系是指数型的，能产生与VBE曲率相反的温度特性，用来补偿。还有数字修调，现在高性能Bandgap常用。片上放个ADC和温度传感器，测出实际温度下的输出电压偏差，用数字逻辑控制DAC去微调基准电流或电阻比值，实现逐片校准。这能搞定工艺偏差和封装应力带来的漂移。
CMOS下做亚1V输出是个难点。因为传统Bandgap输出约1.25V，低于带隙电压。常用方法是把VBE进行缩放，比如用电阻分压，或者用电荷泵结构先升压再做基准。但这里运放失调影响巨大，特别是亚1V时信号摆幅小，失调电压会直接引入系统误差，导致温漂恶化。优化方向有几个：一是用斩波稳零技术，周期性交换运放输入端，把失调平均掉；二是增大输入对管面积，降低失配；三是设计高增益运放，但要注意稳定性。
仿真评估是关键。DC扫描看线性调整率，在电源电压从最低到最高变化时，输出电压变化要小。温度扫描从-40到125度，看输出电压曲线，计算温漂系数。注意仿真要带工艺角，FF、SS、TT都要跑，因为电阻和晶体管参数变化会直接影响补偿效果。高阶补偿设计后，一定要做蒙特卡洛分析，看随机失配对温漂的统计分布。
最后提醒，别光说理论。最好能举例，比如你之前项目里温漂做到了几个ppm/°C，用了什么结构，仿真和测试结果对比如何。面试官喜欢有数据支撑的回答。
评估Bandgap性能，仿真必须系统化。我一般分三步：
先做DC分析，扫电源电压（比如1V到3V），看线性调整率。好设计应该小于0.1%/V。注意仿真时加实际负载，别空载。
然后温度扫描，从-40°C到125°C，步长设小点（如5°C），输出数据后算温漂系数。公式是TC=(Vmax-Vmin)/(VnomΔT)1e6，单位ppm/°C。别只看曲线，要算数值。
关键点是跑蒙特卡洛（Monte Carlo）仿真，包括工艺偏差和失配。温漂在典型情况可能很好，但蒙特卡洛会揭示实际良率。如果发现温漂分布太宽，回去调运放增益或电阻比例。
最后提醒，仿真模型可能和实测有差距，特别是极端温度。面试时可以提一下，如果可能，用硅验证数据佐证，显得更有经验。
CMOS工艺下做亚1V Bandgap是个热点，因为电源电压越来越低。传统Bandgap输出约1.25V，不够用。
关键思路是用MOS管而不是电阻来产生PTAT电压。比如用亚阈值区的MOS管，它的VGS有正温度系数，可以替代传统PTAT电压。或者用电荷泵升压后再做基准，但噪声大。
运放失调影响很大，特别是亚1V时，失调电压可能占输出电压很大比例，导致温漂恶化。优化方法：一是用斩波（chopping）技术，动态抵消失调；二是增大输入对管尺寸，减小随机失调；三是设计成无需运放的结构，比如用电流模。
仿真时要注意，MOS管在亚阈值区的模型可能不准，多跑几个corner，看看工艺变化的影响。
面试官问曲率补偿和低温漂，其实是想看你有没有实际设计经验，不是只懂原理。我面过几次，总结下来他们最常问的是：除了用电阻温度系数不同做二阶补偿，还有没有更高级的办法？
你可以提用不同偏置电流下的双极型晶体管（BJT）的VBE非线性不同，来抵消高阶项。比如让一个BJT工作在低电流密度，另一个在高电流密度，它们的VBE温度曲线曲率相反，叠加后能部分抵消。
还有数字修调，现在先进工艺都用这个。上电时测一下输出电压，用DAC微调电阻或电流，把温漂压到几个ppm/°C。这需要带ADC和逻辑，但能应对工艺偏差。
说的时候最好画个简图，解释为什么传统方法在宽温范围（-40到125°C）不够，高阶补偿怎么把抛物线拉平。
我面试时被问过这个，分享一下我的思路。曲率补偿的核心是抵消BJT的VBE随温度的非线性（曲率）。除了传统方法，可以提一下使用sub-1V的架构，比如用MOS管工作在亚阈值区产生PTAT电流，结合电阻的负温度系数。高阶补偿也可以用温度传感器加数字逻辑实时调整。对于低压Bandgap，一种流行结构是用两个运放，一个产生PTAT电压，一个用于叠加，输出可以做到0.5V左右。运放失调的影响很大，会导致输出电压随温度漂移，而且工艺角变化下更明显。优化时，斩波稳零是有效的，但要注意斩波引入的纹波需要滤除。仿真方面，DC温度扫描是必须的，但别忘了做蒙特卡洛分析，看看随机失配对温漂的影响。线性调整率仿真就是扫描电源电压，看输出变化。关键点是：回答时要结合具体电路图解释，比如画出你提到的结构，分析每个元件的作用，这样面试官会觉得你真有经验。
面试问曲率补偿，其实是想看你有没有实际设计经验。传统一阶补偿在宽温范围不够用，二阶补偿常用的是利用电阻的不同温度系数，或者让双极型晶体管工作在不同电流密度下产生高阶项来抵消。比如，可以设计一个与温度呈平方关系的电流，注入到输出节点。更高阶的或者数字方法，现在常用的是数字修调，在芯片测试时测几个温度点的输出电压，用片上的DAC微调某个电阻的电流，相当于分段线性补偿，这能做得非常准，但成本高。CMOS工艺下做低压Bandgap，关键是把传统结构的电压加起来（约1.25V）降下来，常用方法是把ΔVBE放大后加在具有负温度系数的电压上，但用MOS管实现时，运放的失调电压会直接带来输出误差，而且这个误差是温度相关的。优化方法除了增大输入对管面积、采用斩波稳零技术外，还可以考虑自动归零或者数字校准。仿真评估TC，一定要做温度扫描，从-40到125度，步长可以设小点比如5度，然后对输出数据做线性回归，计算斜率除以常温值得到TC。注意仿真要带工艺角，看看PVT下的变化。
这个问题很实际，我面试时也被问过。核心就两点：怎么补偿非线性，怎么在CMOS里低压实现。
曲率补偿除了经典的用电阻温度系数，还可以引入一个与温度平方成正比的电流，叠加到PTAT电流里。或者用多个BJT在不同电流密度下工作，组合它们的VBE。数字方法现在挺流行，比如片上做个ADC测温度，用逻辑电路查表输出修调码，控制电流DAC微调基准，这样能适应工艺偏差和温度非线性。
亚1V Bandgap，常用结构是Brokaw cell的变种，或者用运放加电阻分压把输出电压降下来。MOS管替代BJT的话，得注意亚阈值区的匹配和噪声。运放失调会导致两个支路电流不匹配，产生静态误差，温漂会变差。优化思路：设计高增益运放减少系统失调，版图上做共质心匹配，或者直接上斩波稳零技术抑制低频失调。
仿真时，DC扫描温度，看输出电压变化范围。温漂系数通常用ppm/°C表示，计算（Vmax-Vmin）/(Vnom温度跨度)。线性调整率就是扫电源电压，看输出变化率。别忘了跑工艺角，高温低温下性能可能差异很大，蒙特卡洛分析也要做，确保量产良率。
面试官问曲率补偿和低温漂，其实是想看你对误差来源的理解深度和解决实际问题的能力。除了传统方法，可以聊聊高阶补偿，比如利用BJT在不同集电极电流密度下的VBE非线性差异进行补偿，或者用温度相关的电阻比值来抵消高阶项。数字修调方面，可以提一下用温度传感器加DAC动态调整基准电压，或者用trimming电阻在测试阶段修调。关键是要说明这些方法如何针对VBE的非线性（曲率）进行补偿，让TC在宽温范围内更平。
CMOS下做亚1V Bandgap，常用方法是利用衬底PNP或者MOS管工作在亚阈值区产生CTAT电压，再结合电阻分压之类的技术。运放失调在这里影响很大，会直接引入系统误差，导致输出电压不准和温漂恶化。优化的话，除了增大输入对管尺寸、采用斩波稳零技术，还可以考虑动态元件匹配。
仿真评估TC，一定要做温度扫描，比如从-40到125度，步长设小点（例如10度），然后提取输出电压，计算平均TC。线性调整率就看电源电压变化时输出的波动。注意仿真要带工艺角，包括FF、SS、TT，还有蒙特卡洛分析看随机失配。画个输出电压随温度变化的曲线，一眼就能看出曲率补偿效果。
