2026年秋招,应聘‘芯片DFT工程师’时,笔试中关于‘MBIST(内存内建自测试)’的题目,除了基础算法(如March C-),现在是否会深入考察‘针对不同存储器类型(SRAM, ROM, Flash)的BIST架构设计’以及‘修复机制(Repair)的实现流程’?
正在准备2026年秋招的芯片DFT工程师岗位。复习MBIST部分时,知道要掌握March算法和BIST控制器原理。但看一些面经说,现在考题越来越贴近实战。想请教一下,当前的笔试或面试中,是否会深入考察如何为SRAM、ROM甚至嵌入式Flash设计不同的BIST架构?以及当MBIST检测到故障后,相关的修复(Repair)流程,比如冗余行列的分配、熔丝(eFuse)编程流程,这些细节会被问到吗?应该如何准备这类问题?