2026年，芯片行业‘存算一体’技术成为新热点，对于从事数字IC设计或架构的工程师，需要提前了解哪些关于新型非易失存储器（如ReRAM, PCM, MRAM）特性、计算范式（如乘累加在内存中完成）以及与之匹配的电路与架构设计挑战？
最近看行业新闻和学术会议，存算一体（Computing-in-Memory）被讨论得越来越多，被认为是突破AI算力瓶颈的潜在方向。我是一名工作3年的数字IC设计工程师，主要做传统冯·诺依曼架构的芯片。感觉这个方向很有前景，想提前做一些知识储备。但存算一体涉及器件、电路、架构多个层面，有点无从下手。请问：1. 作为数字设计工程师，需要重点理解哪些新型存储器的电学特性（如读写速度、耐久性、密度）？2. ‘存算一体’具体有哪些计算范式？模拟计算和数字计算在电路实现上主要区别和挑战是什么？3. 在架构层面，如何设计数据流和控制器来高效利用存算一体阵列，并与传统计算单元协同？希望能得到一些学习路径和关键概念的梳理。
单片机入门生
